VLSI TestLab

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科技部專題研究計畫:

計畫編號 計畫名稱 執行期間
NSC-93-2215-E-018-004- 基體偏壓技術應用在低壓低功高速系統晶片之研究 93學年
NSC-94-2215-E-018-007- 低功高速低面積同步延遲鏡射器之研究 94學年
NSC-95-2221-E-018-023- 電源閘控系統晶片測試排程與功耗管理中降低尖峰功耗與縮短等待時間之研究 95學年
NSC-97-2221-E-018-027- 奈米製程中兼具電流易測性與低峰快醒的電源閘控功耗管理系統之研究  97學年
NSC-99-2221-E-018-025- 低功耗低成本高可靠度內容可定址記憶體之研究  99學年
NSC-100-2221-E-018-014-  高良率記憶體內建自我冗餘分析與修復方法之研究  100學年
NSC-101-2221-E-018-036- 混合記憶體立方體內建自我修復之研究   101學年
NSC-102-2221-E-018-030- 三維晶片中連線之內建自我測試與修復的研究 102學年
MOST-103-2221-E-018-032- 三維晶片中矽穿孔的即線即速之自我修復  103學年
MOST-104-2221-E-018-025- 三維晶片中時脈矽穿孔之即線自我修復  104學年
MOST-105-2221-E-018-024- 三維晶片中電源、時脈及資料矽穿孔之老化監測及自我修復  105學年
 (under application)  三維晶片中關鍵連線之多症狀老化監測與即線自我修復  106學年